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Principal Medium Voltage (MV) Power MOSFET Process Integration Engineer

英文職缺・已幫你整理成中文

  • Hsinchu, Hsinchu City, Taiwan
  • 資深
  • 7/30 刊登

職缺摘要

瑞薩電子招募中壓功率金氧半場效電晶體製程整合主任工程師，負責次世代屏蔽閘極溝槽式功率 MOSFET 技術之開發、製程模組建立與良率改善。

摘要由 AI 依英文原文整理成中文，不是逐字翻譯，以官方職缺為準

職缺內容

工作內容

  • 定義並建立次世代中壓屏蔽閘極溝槽式功率 MOSFET 技術之關鍵製程模組。
  • 執行晶圓針測並分析各開發週期之組裝產品效能數據。
  • 分析晶圓級電性測試結果與封裝級效能數據。
  • 主導良率改善活動並支援技術轉移至量產。

必備條件

  • 具備電機工程、物理或相關領域碩士或博士學位。
  • 具備最高 15 年功率半導體元件或製程開發經驗。
  • 具備中等程度的英語與日語讀寫及會話能力。

加分條件

  • 具備博士學位尤佳。
  • 具備以矽為基礎之中壓屏蔽閘極溝槽式 MOSFET 相關經驗尤佳。

由英文原文整理成中文的重點，不是逐字翻譯。 看原始職缺的完整內容

技能

  • 半導體製程
  • TCAD 模擬

時間軸

  1. 官方刊登

    2026-07-30（來源提供）・64 天前

  2. 第一次在官方頁發現

    追蹤開始前已刊登

  3. 最後一次確認仍在官方頁

    2026-10-02 07:30・1 小時前

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