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GaN/BCD/Power Device Process Integration Engineer

英文職缺・已幫你整理成中文

  • Zhubei, Hsinchu County, Taiwan
  • 初階
  • 4/26 刊登

職缺摘要

安森美招募 GaN/BCD/功率元件製程整合工程師，負責晶圓代工廠的製程開發、良率與品質改善，以及新產品導入專案管理。

摘要由 AI 依英文原文整理成中文，不是逐字翻譯，以官方職缺為準

職缺內容

工作內容

  • 與研發及晶圓代工廠合作開發與優化 GaN/BCD 功率元件及製程，以確保製造可行性與生產良率。
  • 執行先進元件特性分析與詳細良率分析，推動代工廠的缺陷與模組層級良率及品質改善行動。
  • 實施統計製程管制 (SPC) 與實驗設計 (DOE) 方法以提升製程良率。
  • 管理多項專案，確保如期交付解決方案並達成里程碑，協調跨功能團隊對齊專案目標。

必備條件

  • 學歷要求：電機工程、物理或材料科學碩士或博士學位。
  • 具備 GaN/BCD 功率元件物理、製程流程、整合與良率分析的深入知識。
  • 在 GaN 與 BCD 技術的新製程開發/優化及良率改善方面有 proven track record。
  • 具備與晶圓代工廠研發、工程與品質團隊合作經驗，熟悉元件可靠度機制與失效分析。
  • 具備流利的英語書面、口語溝通與簡報能力。

加分條件

  • 具備模組經驗為加分項。

由英文原文整理成中文的重點，不是逐字翻譯。 看原始職缺的完整內容

技能

  • 半導體製程
  • 統計製程管制
  • 失效分析

時間軸

  1. 官方刊登

    2026-04-26（來源提供）・159 天前

  2. 第一次在官方頁發現

    追蹤開始前已刊登

  3. 最後一次確認仍在官方頁

    2026-10-02 08:21・42 分鐘前

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