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Memory Circuit Design Engineer - TCAM/SRAM

英文職缺・已幫你整理成中文

  • Zhubei, Taiwan
  • 混合
  • 初階
  • 9/10 刊登

職缺摘要

負責記憶體電路（如TCAM與SRAM)的設計、開發與測試，參與專案全生命週期並確保符合效能與可靠度標準。

摘要由 AI 依英文原文整理成中文，不是逐字翻譯，以官方職缺為準

職缺內容

工作內容

  • 執行記憶體設計流程，包含架構設計、電路實作與佈局監督等
  • 建立詳細電路原理圖與模擬以驗證功能
  • 進行原型開發、測試與除錯以優化效能

必備條件

  • 電機工程、電子工程或相關領域學士或碩士學位
  • 具備0至3年相關經驗與半導體記憶體技術知識
  • 熟悉電路設計與模擬CAD工具（如Cadence、Synopsys)

加分條件

  • 具備低功耗記憶體電路設計經驗
  • 具備信號完整性與時序分析知識
  • 熟悉原型測試設備與方法學

由英文原文整理成中文的重點，不是逐字翻譯。 看原始職缺的完整內容

技能

  • Cadence 工具
  • Synopsys 工具

時間軸

  1. 官方刊登

    2026-09-10（來源提供）・22 天前

  2. 第一次在官方頁發現

    追蹤開始前已刊登

  3. 最後一次確認仍在官方頁

    2026-10-02 08:19・45 分鐘前

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